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六方氮化硼成核层减小MOCVD外延生长氮化铝薄膜的应力及裂纹
利用单层六方BN材料(hexagonal BN:hBN)作为成核层, 用金属有机物化学气相沉积法生长AlN薄膜, 得到应力小裂纹少的外延材料。实验......
期刊
AlN薄膜
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MOCVD
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AlN films
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MOCVD
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